碳纳米管突破承诺更快，较低的电源处理器

　　长期以来，计算行业已经将碳纳米管晶体管视为一种圣杯 - 有望不仅比其基于硅的等效物更快，而且功耗更低。长期以来，人们一直认为，如果研究人员能够利用碳纳米管技术，那么他们就可以放慢速度，甚至可以扭转摩尔定律的灭亡，并克服丹纳德（Dennard）的扩展定律强调的每瓦问题的某些性能。

　　但是，直到最近，他们的现实速度一直落后于传统技术，而现在威斯康星大学麦迪逊大学的研究人员创造了他们所说的是第一个超过现代硅的碳纳米管晶体管。

　　引入碳纳米管和下一代电子产品

　　显然，诀窍是找到一种找到几乎完全纯净的碳纳米管的方法，从而消除了更多将限制其半导体性状的缺陷。研究人员必须使用精确的顺序在晶圆上组装纳米管，并通过聚合物进行间距，然后将所得的阵列煮在真空中，以去除纳米管与晶体管所需的电极之间的绝缘层。最终产品管理当前的1.9倍，比硅高1.9倍。

　　在您看到实用芯片中的碳纳米管之前，还需要进行大量精致，从实验室到新兴技术的完全商业化需要时间，但现在另一个障碍已经下降了。该团队仍然必须将目前的产品适应传统硅晶体管的几何形状，并且必须以适合大众生产的方式扩展技术。但是，如果大学设法实现了这一目标，那么突破可能会对您使用的所有设备产生非常明显的影响。当然，您可能会期望更多的原始数字处理能力，但是您还可以获得更长的电池寿命和更快的无线数据。