非平凡带拓扑产生的现象的电气操纵对于使用拓扑保护的下一代技术至关重要。Weyl Semimetal是一个三维无间隙系统，它以低能准粒子为1,2,3,4。它具有各种外来的特性，例如大型异常霍尔效应（AHE）和手性异常，由于受拓扑保护的Weyl Nodes1,2,3,4,5,6,6,7,8,8,9,111112,12,12,13,13,14,14,15,16。为了操纵这种现象，Weyl Semimetals的磁性版本将有助于控制Brillouin区域中的Weyl节点的位置。此外，抗磁性Weyl金属的电操作将有助于使用抗铁磁旋转旋转，以实现具有超快操作的高密度设备17,18。但是，尚未报道Weyl金属的电控制。在这里，我们证明了拓扑抗铁磁态的电转换及其在室温下AHE检测到抗磁性Weyl金属MN3SN9,10,12,20的多晶薄膜中，该薄膜的电气转换为零菲尔场AHE。使用由MN3SN和非磁性金属组成的双层设备，我们发现每平方米约1010至1011安培的电流密度可在非磁性金属中诱导磁开关，并发生巨大的霍尔电压变化。另外，沿偏置场的当前极性和非磁金属的旋转厅角的符号 - PT的阳性（参考文献21），接近Cu的Cu和W（参考文献22）接近0（参考文献22） - 确定了Hall电压的迹象。值得注意的是，使用与铁磁金属23,24相同的方案实现了抗铁磁铁中的电交换。我们的结果可能会导致拓扑磁性和抗铁磁旋转的进一步的科学和技术进步。